Внимание!!! Гость. Большинство разделов форума предназначены для зарегистрированных участников, поэтому ув. Гость, лучше бы тебе зарегистрироваться :). Тем более, что регистрация займет у тебя не более 1 минуты, зато существенно расширит твои права и возможности на этом форуме

(i)

Новостей.COM - ежедневные новости различной тематики
  Ответить Новая тема Создать опрос

> Микросхемы памяти Intel на базе 65-нм технологии
Mitos   (i)
Дата 2.09.2004 - 23:17
Чемпион по: Moon Lander 
Иной. Темный. Инквизитор
******
Пользователя сейчас нет на форуме Детально о участнике
Иллюватор
Репутация: 161 голосов

(Знак Зодиака: Sagittarius)
Пригласил(а): 32
Kполезности = 32.65
Флудометр: 0.29% флуда
Микросхемы памяти Intel на базе 65-нанометровой технологии

Корпорация Intel объявила о разработке первой полнофункциональной микросхемы памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory) на базе 65-нанометровой технологии. Продемонстрированный чип имеет емкость 70 Мбит и содержит 500 миллионов транзисторов. Таким образом, процессорный гигант в очередной раз подтвердил справедливость закона Мура, согласно которому количество транзисторов на микросхемах, а следовательно, и их производительность удваиваются каждые полтора-два года.

В пресс-релизе отмечается, что новые микросхемы SRAM имеют площадь кристалла 110 мм2, каждая ячейка памяти при этом содержит шесть транзисторов с размером затвора 35 мм (это примерно на 30 процентов меньше размеров затворов транзисторов, изготавливающихся по 90-нанометровой технологии).

Однако уменьшение размеров транзисторов, хотя и приводит к росту производительности микрочипов, неизбежно порождает проблемы увеличения энергопотребления и, соответственно, тепловыделения. Специалистам Intel удалось преодолеть эти недостатки путем применения улучшенной технологии "напряженного кремния" (кремния с увеличенным расстоянием между узлами кристаллической решетки), за счет которой быстродействие транзисторов было повышено на 10-15 процентов без возрастания токов утечки.

Кроме того, новые микросхемы SRAM имеют так называемые "сонные транзисторы" (Sleep Transistors), отключающие неиспользуемые блоки памяти и снижающие, тем самым, энергопотребление. В новой производственной технологии также применяется диэлектрический материал с низким коэффициентом проводимости (диэлектрик low-k), повышающий скорость передачи сигналов в микросхеме. Чипы были изготовлены на заводе D1D в Хиллсборо (штат Орегон, США).
http://www.compulenta.ru/2004/9/2/49664/


--------------------
Программистские приметы.
Ошибки легче всего делаются и труднее всего обнаруживаются в самых простых местах программы.
Нет более живучих программ, чем заплатки, сделанные на скорую руку.
Чем чаще программист жалуется на чужой soft, тем хуже он делает свой.
  PM WWW ICQ  
Top  

Похожие темы // Искать еще похожие темы
Intel предъявлен иск на $500 миллионов
AMD vs Intel
Новым процессорам Intel - новую стратегию поставок
Процессор Intel с двумя ядрами - в 2005
У двуядерных Intel и AMD не будет единого кэша
- Модуль "Похожие темы" работает в тестовом режиме. Коментарии относительно его работы принимаются в этой теме


Опции темы Ответить Новая тема Создать опрос