Внимание!!! Гость. Большинство разделов форума предназначены для зарегистрированных участников, поэтому ув. Гость, лучше бы тебе зарегистрироваться :). Тем более, что регистрация займет у тебя не более 1 минуты, зато существенно расширит твои права и возможности на этом форуме

(i)

Новостей.COM - ежедневные новости различной тематики
  Ответить Новая тема Создать опрос

> Микросхемы памяти Intel на базе 65-нм технологии
Mitos   (i)
Дата 2.09.2004 - 23:17
Чемпион по: Moon Lander 
Иной. Темный. Инквизитор
******
Пользователя сейчас нет на форуме Детально о участнике
Иллюватор
Репутация: 161 голосов

(Знак Зодиака: Sagittarius)
Пригласил(а): 32
Kполезности = 34.57
Флудометр: 0.29% флуда
Микросхемы памяти Intel на базе 65-нанометровой технологии

Корпорация Intel объявила о разработке первой полнофункциональной микросхемы памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory) на базе 65-нанометровой технологии. Продемонстрированный чип имеет емкость 70 Мбит и содержит 500 миллионов транзисторов. Таким образом, процессорный гигант в очередной раз подтвердил справедливость закона Мура, согласно которому количество транзисторов на микросхемах, а следовательно, и их производительность удваиваются каждые полтора-два года.

В пресс-релизе отмечается, что новые микросхемы SRAM имеют площадь кристалла 110 мм2, каждая ячейка памяти при этом содержит шесть транзисторов с размером затвора 35 мм (это примерно на 30 процентов меньше размеров затворов транзисторов, изготавливающихся по 90-нанометровой технологии).

Однако уменьшение размеров транзисторов, хотя и приводит к росту производительности микрочипов, неизбежно порождает проблемы увеличения энергопотребления и, соответственно, тепловыделения. Специалистам Intel удалось преодолеть эти недостатки путем применения улучшенной технологии "напряженного кремния" (кремния с увеличенным расстоянием между узлами кристаллической решетки), за счет которой быстродействие транзисторов было повышено на 10-15 процентов без возрастания токов утечки.

Кроме того, новые микросхемы SRAM имеют так называемые "сонные транзисторы" (Sleep Transistors), отключающие неиспользуемые блоки памяти и снижающие, тем самым, энергопотребление. В новой производственной технологии также применяется диэлектрический материал с низким коэффициентом проводимости (диэлектрик low-k), повышающий скорость передачи сигналов в микросхеме. Чипы были изготовлены на заводе D1D в Хиллсборо (штат Орегон, США).
http://www.compulenta.ru/2004/9/2/49664/


--------------------
novostey.com/banners/fun.gif
  PM WWW ICQ  
Top  

Похожие темы // Искать еще похожие темы
Intel предъявлен иск на $500 миллионов
AMD vs Intel
Новым процессорам Intel - новую стратегию поставок
Процессор Intel с двумя ядрами - в 2005
У двуядерных Intel и AMD не будет единого кэша
- Модуль "Похожие темы" работает в тестовом режиме. Коментарии относительно его работы принимаются в этой теме


Опции темы Ответить Новая тема Создать опрос